電圧の温度依存性に関する問題

H

huashizng

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私は4.1Vのバンドギャップ電圧を1.2Vのバッファオペアンプを増やす使用します。私に分かれて抵抗ネットワークを追加するトリミング抵抗。グランド、スイッチのNMOSトランジスタの接続部分はされ、4.1Vの電圧の温度依存性は悪くなります。それぞれがこれらのスイッチNMOSトランジスタのソ¥ースに接続して大部分がされると、4.1Vの電圧の温度依存性はよくなります。現象を、この説明方法は？

 
私は写真を配属あなたは本当に得るが、私が理解から、私はexplein

通常、この場合は理論のTCは関連する

私たちはゼロだnegetive TCとpositiceのTCのへの参照を、電圧、これはなるの統合を...

まあ、それはVBEをしたかったconnnectedだ一括かかるそれは完全なのVDSをしかし、この私たちは、大文字と...

とき2 Vbeのdiffeentialの関係が存在する..いうか温度絶対比例する

 
私は電圧をバンドギャップが得1.2Vの。温度、電圧バンドギャップ係数の十¥分です。bgは電圧の変動の範囲は、温度の詳細は許可さよりもとれたています。いいえ私は抵抗と午前オペアンプバッファ電圧4.1Vの別の増加1.2V単一電源動作bgの電圧を。これらの抵抗は、電圧精度がの4.1Vに含まれて制御するために使用されるネットワークを抵抗小さい。この小さな抵抗ネットワークは、トランジスタのNMOSスイッチですトリミングいくつかの。今問題は：電圧、これらのNMOSの場合バルクは4.1Vにしていますトランジスタ接続して地上、温度係数は、悪いです。十¥分な場合は良いことのソ¥ースを、温度係数が電圧の4.1Vには接続されてバルクが。
場合は、画像添付から回路をすることができます参照してください。
申¥し訳ありませんが、添付ファイルを、この必要があります表¥示するにはログインしての

 
ああ問題を私は参照してくださいが、私は答えをuはにできません与えるが、ここは私の見解を..

Voutは= Vbeは Vtののln n（R1の .. RN）を/ R1の

それは..メナスあなたの抵抗でそのvolttgaeは（スイッチnMOSトランジスタのネットワークである必要があります等しい理想的な）

たぶんの抵抗値が必要です4.1はOK 1.2差がのためには、Vrefを。

ときにドレイン部分はuの...私は.... FRBは現在の考えインピーダンスの高いnMOSトランジスタのnMOSトランジスタを作る高されていない非常にネットワーク分散resitorの

 
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