低ドロップアウトレギュレータの広いダイナミック入力電圧

[tsai_chin_wei]

こんにちは、

私はLDOを午前設計の入力電圧範囲をwhoes 6〜36Vの。私は最近）は、低電圧デバイス（5V）と高電圧デバイス（40Vの。私はデバイスの電圧低い達成された電圧の高さに利用するデバイスを実現するPMOSのと）OPと他の（bgの。

そこで使用してデバイスを電圧低知っている私がいない場合は、OPをして実現bgの方法です実現と。

ありがとうございます！
申¥し訳ありませんが、添付ファイルを、この必要があります表¥示するにはログインしての

 

[chenjia]

あなたはopとprivide低電圧のためにbgの回路を電圧regerationのローカルすることができますを使用します。

 

[strennor]

あなたは、デバイスのLVが作成して、ローカル電源として5Vリファレンスを。ダイオードを行うにはツェナーあなたはありますか？ところで、どのように大きな電圧が、出力？

 

[tsai_chin_wei]

strennorは書き込み：

あなたのローカル5Vリファレンスを左心室のデバイスとして電源を作成できます。
あなたはツェナーダイオードがありますか？ところで、どのように大規模な、出力電圧ですか？

 

[safwatonline]

私は物事を考えてですが、それはなんとかそれを得るシナリオにスタートアップのいくつかが必要uが開始

 

[mark_nctu]

回路のバンドギャップの内部低電圧レギュレータを設計してくださいします。

これは、規制を行されますが向上します。

 

[Guest]

[No message]

 

[tlihu]

LDOをのような広い範囲はVinがimplent、それは安全とするデバイスを使用するだけのHVに効率的に詳細エリア。

 

[xwcwc1234]

通常のHVトランジスタの経験私のいるの回路をBGのではない正確になります。だからbgのトランジスタのために左心室の使用お勧めします。

 

[Guest]

plsははBG reansistorを除いHVの使用

 

[ericliu]

それはマッチング良いのがデザインのBGの電圧デバイスを-だ利用した低確認します。しかし、地元のレギュレータはbgのために必要です。電圧を相殺するために減らすの入力を、それはアンプのエラー-左心室混合設計デザインのHVよりを使用します。