ウィルSOIの年とするが許容5-10市場で次は?

jason_classは書き込み:聞け、すべての積分法などのlddはとSTI ..
バルクCMOSで応用が作製するために使用することができますCMOSのソ¥イ。
しかし、どんな一般的な変更が行われる必要があります?宜しく

ジェイソ¥ン
 
私は;-)エネルギー移動のためのインプラント

PDのでは、レベルをアクティブなシリコンの不確かさの映画はいくつかがかなり厚い(100は- 200nmの)注入エネルギーでも、配置する必要がある場合は注意が耐える上に、。FDのと同様に、膜厚が薄いがかなり、インプラントのエネルギー分野を慎重でなければ、シリコン活性中心のimplan分布の中心をの制御に配置します。

www.emic.ucl.ac.beとwww.dice.ucl.ac.beを見て材料

 
Humungusと多くのScottiemanありがとうので

今私はlddは後に優先されたんですSDEのはなぜ知っている。それは涼しい。言葉啓発ありがとうをScottiemanてください。

はいHumugus、私は、プロファイルから見たどこかに理想的私が忘れてしまった(本を読んで教授のVLSIおそらくスタンレーインプラント狼)に言及形ですボックス。のため、生きているそれは我々は世界実、我々は、プロファイルガウスのいくつかの並べ替えをして傾向に。

すべての権利は、私は....ウェブサイトが判明から
ありがとうございますScottiemanとHumungusとスカイハイのアイデアのための優れた常に撮影でポストバック時間を

希望するすべての成功

ジェイソ¥ン

 
こんにちは、

技術としてのCMOSプロセッサです実装におけるSOIビット64の私が知っているAMDの。したがって、SOIは市場がします。

(ただし、SOIはSOSのではない、私は思います)本当にSOSは高価な

 

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