TCAD Sentaurusプロセスシミュレーションにおけるシリコン中のホウ素の拡散

[ashwini_shrirao]

SPROCESSにおけるシリコン中のホウ素の拡散のためのコマンドは何ですか？

 

[Colbhaidh]

10分の注入エネルギーのために900Cにして拡散し、インプラントのホウ素、始めることsiliocnにはホウ素を想定していない= 35.00用量= 1.00E。傾斜14 = 7.00