RF出力電力の周波数を対

Z

zjxie

Guest
こんにちはすべて、
私はトランジスタ電源の出力についての質問のRF基本ています。私は1GHz以上がで100Wのを提供することができるトランジスタ。私はGHzの2しようとする時は、動作させるための再ネットワークをマッチング最適化します。電力利得は下がるが4 dBとRF出力パワーも行く〜ダウンします。I、または最適化されたネットワークの午前マッチングのためだいないことを確認それは私にないの周波数制限が高いtheroticalいくつか?私は知って行くの利得がダウンして、なぜ電源

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?それは何の物理の後ろですか?返信親切のいずれかのおかげで進んでいます。

 
レベルを持つドライブを試した引き上げ?周波数かデバイスのデータよりシートがで主張に動作?シートウェブログがデータを使用し、ソ¥ースと負荷インピーダンスの周波数より高いことを示しますか?

一般的には、キャリアの制限の充電速度のトランジスタと領域がアクティブな間輸送時間。

これは、しかし、限界のようなスルーレートを正確にされていないオペアンプサイクルタイムの4分の1の出力思考のメソ¥ッド想像することができますが使用される波の正弦波の終わりまでに制限電圧と電流は達する。

 
パワーアンプは、回路です非常に興味深い。
ある回路です制限は常に制約を指します。これは、"制限ノとしてだと呼ばれる"と半導体寄生行動と物理デバイスの多くに依存します。

ているされて使用されるほとんどのモデルは、おそらくトランジスタをシミュレートする2GHzのは、もはやで有効です。したがって、あなたはお間違えのない可能¥性がありますて

もう一つは、間違った場合は完全にはしなかったが整合回路のインピーダンスを"インピーダンス共役の出力"が働いています。levelesため高出力電力、高で共役整合条件でアンプは決して動作します。その代わりに、範囲を出力に最適な動作で"インピーダンス"。したがって、消費電力を最大提供して見つけるか、解析のいずれかがインピーダンスの援助ポイントを測定できます。

もう1つは、オペレーティングポイントが使用できるようにすることが非常によく定義されたように力が最適という。

最後に、トランジスタ、特にCCBは、CSCのCBEは容量の条件オペレーティングかもしれないことは非常に高電圧、したがってで高、彼らは力よりも低い動作悪い。それは明らかだ非常に。
DVCの
Icを=-----(容量がないしかし、定数がされて想定
dtは
になる)

増加は、高電力抵抗コレクタ抵抗)のため減少VCBのは、地域のですも増加(基本の枯渇のため、移行をコレクタからエミッタへの抵抗となるものです。

私はこのことを期待..ことができます

 
返信あなたのおかげです。これは有益だ非常に。私はトランジスタ型のLDMOS午前の作業の。そして私はマッチングの共役ではなく、出力試合にした電源。私がわからないかどうか私はしなかったそれが本当に正しいかどうか。私は%〜70消費電力を得るそれほどで2GHzの1GHz以上。どのように既に行っている点を私は最適な私は達してご存知ですか?それは依存だからこそ周波数私はtheritical制限の質問について。任意の提案ですか?

 
周波数をしたことがあります対あなたが行わパワー掃引対入力電力の?あなたがプロットこれらから見るより参照してください多くのことができるでしょうしています。
にか対応をお持ちの広い平坦の利得圧縮4dBのまでのドロップですか?それとも、圧縮は- 4dBので撮影ドロップ?それは.... dbsにいくつかの可能¥性が、ケースの圧縮には、すでに

 

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