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Guest
私のMOSFETドライバと
MOSFET を始めたばかり
だ とはMOSFETの判断が正しい場合
、 正常にチェックしたいと思います ドライバを使用するための適切な計算を使用して
います 。
どのような批判/提案を歓迎しております。事前に
『 THX ！
のMOSFET ： FDS6898A http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDS6898A.pdf
MOSFETのHブリッジドライバ： MC33883
http://www.freescale.com/files/analog/doc/data_sheet/MC33883.pdf
モーターを実行するには： 2.4
アンペアVの（ドレイン-ソ¥ース間） = 12Vの
いくつかのシンボルを使用する：
Vの（ GSの） =ゲート-ソ¥ース間電圧
Vの（ ds ） =ドレイン-ソ¥ース間電圧
Vの（木） =スレッショルド電圧
グラム（
FS ）
を =転送相互コンダクタンス
研究（上） =抵抗
に研究（ジャ）周囲の熱抵抗=ジャンクション
計算：
Vの（ GSの）可能¥にするために必要な電流は2.4A ：
Vの（ GSの） = Vの（木） 2.4 /
gに （
FS ）
を = 1.5 2.4 / 47 = 1.55V
私は4.5V
の 抵抗を低減するために使用することを決めた。以外の ジャンクション温度heatsinked MOSFETの周囲温度
50C でモータ電流2.4A ：
研究（上） = .01 Ω [私は（エ）対研究（上）グラフ私= 2.4A 、 Vの（ GSの） = 4.5V
の ]
見えた電力消費=私^ 2 *研究= （ 2.4 * 2.4 ） *. 01 = 0.0576水
研究（ジャ） [接合部
の 周囲の熱抵抗値] = 78 ç /
WとT
= 50 （ジャンクション） [周囲温度] 78 * 0576 = 54.49C
どの方法
です最大 ジャンクション温度、 150 、ヒートシンクは必要ありませんので
、 以下
各 2で1つだけのMOSFET - MOSFETの表¥面には一度にチップをマウントしてください。現在の延伸時のMOSFETをオン;
ゲート電荷= 17nC [
V で（ ds ） = 12Vの、 Vの（ GSの） = 4.5 ]
問=私*立ち上がり時間、私=問/立ち上がり時間
せ
の 立ち上がり時間= 20nsと言う
それから、私の17nC/30nS =
= 0.567
さて、 MOSFETドライバの場合：
接合部温度
での 電力消費125C 、ヒートシンク：
研究（ジャ） = 100C /水
T （
） = 周囲50C
（
125 〜
50 ） = 100 *電力（最大）
電力（最大） = .75水
今すぐここで私は何をすべきかを知っているdontされています。私
は、 パワーMOSFETドライバは
、 私は与えられたとR = 0.567のドライバを（ソ¥ース） = 22Ω消費を計算する必要があります知っている
しかし、私は
、 平均電力を計算するので、わからないこの電流
20nsのためにのみ存在している。どうすればよいし
、 接合部との平均電力を使用
もし私は
、 ヒートシンクの温度計算を上記のように判断する必要があります
か ？
『 THX ！
一方の電源をオン編集：ああ、私はまた
、 電力消費を計算するためには
、 MOSFETにしている。うーん... ... 。を使用していますし
、私は 提案した回路の回路図は
、 HブリッジICはPDFファイル
です 。
MOSFET を始めたばかり
だ とはMOSFETの判断が正しい場合
、 正常にチェックしたいと思います ドライバを使用するための適切な計算を使用して
います 。
どのような批判/提案を歓迎しております。事前に
『 THX ！
のMOSFET ： FDS6898A http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDS6898A.pdf
MOSFETのHブリッジドライバ： MC33883
http://www.freescale.com/files/analog/doc/data_sheet/MC33883.pdf
モーターを実行するには： 2.4
アンペアVの（ドレイン-ソ¥ース間） = 12Vの
いくつかのシンボルを使用する：
Vの（ GSの） =ゲート-ソ¥ース間電圧
Vの（ ds ） =ドレイン-ソ¥ース間電圧
Vの（木） =スレッショルド電圧
グラム（
FS ）
を =転送相互コンダクタンス
研究（上） =抵抗
に研究（ジャ）周囲の熱抵抗=ジャンクション
計算：
Vの（ GSの）可能¥にするために必要な電流は2.4A ：
Vの（ GSの） = Vの（木） 2.4 /
gに （
FS ）
を = 1.5 2.4 / 47 = 1.55V
私は4.5V
の 抵抗を低減するために使用することを決めた。以外の ジャンクション温度heatsinked MOSFETの周囲温度
50C でモータ電流2.4A ：
研究（上） = .01 Ω [私は（エ）対研究（上）グラフ私= 2.4A 、 Vの（ GSの） = 4.5V
の ]
見えた電力消費=私^ 2 *研究= （ 2.4 * 2.4 ） *. 01 = 0.0576水
研究（ジャ） [接合部
の 周囲の熱抵抗値] = 78 ç /
WとT
= 50 （ジャンクション） [周囲温度] 78 * 0576 = 54.49C
どの方法
です最大 ジャンクション温度、 150 、ヒートシンクは必要ありませんので
、 以下
各 2で1つだけのMOSFET - MOSFETの表¥面には一度にチップをマウントしてください。現在の延伸時のMOSFETをオン;
ゲート電荷= 17nC [
V で（ ds ） = 12Vの、 Vの（ GSの） = 4.5 ]
問=私*立ち上がり時間、私=問/立ち上がり時間
せ
の 立ち上がり時間= 20nsと言う
それから、私の17nC/30nS =
= 0.567
さて、 MOSFETドライバの場合：
接合部温度
での 電力消費125C 、ヒートシンク：
研究（ジャ） = 100C /水
T （
） = 周囲50C
（
125 〜
50 ） = 100 *電力（最大）
電力（最大） = .75水
今すぐここで私は何をすべきかを知っているdontされています。私
は、 パワーMOSFETドライバは
、 私は与えられたとR = 0.567のドライバを（ソ¥ース） = 22Ω消費を計算する必要があります知っている
しかし、私は
、 平均電力を計算するので、わからないこの電流
20nsのためにのみ存在している。どうすればよいし
、 接合部との平均電力を使用
もし私は
、 ヒートシンクの温度計算を上記のように判断する必要があります
か ？
『 THX ！
一方の電源をオン編集：ああ、私はまた
、 電力消費を計算するためには
、 MOSFETにしている。うーん... ... 。を使用していますし
、私は 提案した回路の回路図は
、 HブリッジICはPDFファイル
です 。