MOSFETのゲート駆動回路

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ee01akk

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こんにちは、私は私はPSpiceのシミュレーションで使用することができ、MOSFETゲート·ドライバの設計を見つけようとしています。彼らは、ICのとしてのみ入手可能であるか、または誰もが特定のデザインを持っているのですか？私はDC-DC昇圧コンバータのスイッチとしてMOSFETを使用しようとしています。あなたが提供することができる任意の助けてくれてありがとう。
 
一つの一般的な回路は、HCシリーズのゲートを使用することです。一つの方法は、並行して、6つのすべてのゲートで74HC49または50を使用することです。これは、MOSFETのゲートを充放電に約1ピーク電流ドライブを提供します。現実の世界でこれだけの作品は、ゲートのすべてが同一のICパッケージに入っている場合、その時​​間は、パラメータがすべて一致するようにします。また、無限の出力電流容量を有する電圧制御電圧源を使用することができます。電流を制限するために、出力とあなたの門の間のいくつかのオームの抵抗を入れてください。これはおそらく、あなたのために理想的なゲート·ドライブの立ち上がり時間の過度に理想化されたシミュレーション結果が得られます。
 
通常、MOSゲートドライバ、デッドタイムの​​シミュレーションのためのサブ回路と電圧制御電圧源+少し送れ（RCと、理想的なゲートとすることにより製造することができる）によってシミュレートされます。 uはTISはPSPICEまたは他のスパイスで自分自身をサブサーキットとtheMGDの適切な出力インピーダンスまたは送れ用のドライバのデータシートを使用して生成することができます。また、インターシルのようないくつかのメーカーは、自社製品のため、このサブ回路を提供する。 the BEST！
 
こんにちは..あなたは具体的に仕事をするためのデザインですMOSFETドライバを使用することができます。リニアtechbologyは、NまたはPチャネルFETのための非常に良いものを持っています。 linear.comインターナショナル·レクティファイアーはあまりにも非常に良いものを持っている..あなたの仕事は簡単で完成した信頼性の高い製品になります。よろしく
 
：Dの考慮すべき点があり、MOSFETドライバの多くのメーカーであるしかし、パワーMOSを駆動すると、トリッキーな事ですが入力静電容量（Ciss）、周波数、および全ゲート電荷（QC）とドライバICの電力処理能力アールあなたのスイッチング周波数は、以下の専用のMOSFETドライバを必要といけない2000 Hzである場合は、 www.micrel.com にアクセスし、Elantec（インターシルによって引き継がれ）、1つのNPNとワンPNPトランジスタを使用したトーテムポールドライバで十分ですSPICEモデルはすでに提供されている：ロール：
 
私はMOSFET設計を使用してあなたの選択を理解することができます。 MOSFETは非常に迅速に切り替えて（フック側）のノイズを作り出すことができるようにあなたは、しかし問題があるかもしれません。私は、インダクタが使用されているとくにバイポーラトランジスタスイッチがbeterオプションであることを見出した。 Barrybear
 
覚えておいて、各MOSFETのゲートにダンピング抵抗2-5オームを追加
 
助けが必要！私は290KHZで私のMOSFETを駆動しています。私のゲートドライバーとしてIR2110を使用しています。低い周波数では、私のハイサイド波形が良さそうに見える..それは方形波です。しかし、周波数が増加するにつれて、私のハイサイドの波形が歪んで見えるように開始します。なぜそれがそうですか？この問題を解決する方法はあるのでしょうか？もう一つの問題は、私は15Vの電源電圧を使用しています、です。私は290KHzで私のMOSFETを切り替えるように、私のゲートドライバは簡単に加熱される。未満の10分では、ICは非常に熱くなり、私は自分の回路をオフに着いた。温度を低減する方法はありますか？私はそれがICチップであるヒートシンクだってを使用傾ける。
 
こんにちは、高周波数ではMOSFETのゲート容量が重要になります。我々は、通常、高いスイッチング周波数は、この種のIGBTのを使用しています。これはあなたを助けることを望みなさい。さようなら。
 
ため息..私はすでに回路を構築する..私は今IBGTに変更する方法が全くありません.. iはゲー​​ト容量の影響を軽減することができる方法は何ですか？それはMOSFETのゲート容量によるものであれば、それだけで私の側にどのような影響を与えるか来る？私の低い側には何の影響はありません。 [サイズ= 2] [色=＃999999] 31秒後に追加されました：[/色] [/サイズ]ため息..私はすでに回路を構築する..私は現在、IGBTに変更するための方法はありません.. iはゲー​​ト容量の影響を軽減することができる方法は何ですか？それはMOSFETのゲート容量によるものであれば、それだけで私の側にどのような影響を与えるか来る？私の低い側には何の影響はありません。
 
こんにちは、最初の場所で、より低い周波数を使用してみて、100kHzの今日まで何かがMOSFETを使用して結構です。幸運を祈ります。
 
あなたは、ゲート抵抗の種類を使用しています。 FETdriverの消費電力は、あなたとゲート駆動どれだけの電流に大きく依存する。あなたはFETのゲート電荷とは何かを知っているなら、あなたは簡単に立ち上がり時間と立ち下がり時間を計算することができますし、ゲート抵抗を増加させることができるかどうかを確認します。あなたは、IGBTやMOSFETを使用していますか？多くのIGBTは、そのような周波数でスイッチングされるのが好きではない。
 
私は290KHZ必要とする負荷に接続されている（私はハーフブリッジとして動作するようにMOSFETを使用して）ハーフブリッジとして私の周波数を減らすことはできません。 22ohmのゲート抵抗を使用した。どのゲート容量が高周波でドライバーの私のハイサイドに影響を与えるのだろうか？
 
こんにちは、どのようにハイサイドでは、回路内のように見えるか？あなたは、特定のdriuverを使用している？また、ゲートには10​​オームの抵抗を使用してみてください。さようなら。
 
私はいくつかのポイントの制限のためにあなたの写真を参照してくださいすることはできませんよ。私はちょうど数日前にこのformumに署名。 FETで何が起こっているかを見つけるための良い方法は、ゲート·ソース間電圧を測定することです。ハイサイドでは、これは差動測定により行われる必要があります。私は通常の範囲をフロートする "詐欺師のプラグイン"を使用します。立ち上がり時間と立ち下がり時間が100nsの範囲であるので、あなたもかなり高速オシロスコープが必要。ドライバの電源disipationは次のように計算することができます各遷移上のドライバは、スイッチング時間の間、ほぼVSUPPLY / Rgの電流が流れます。サイクル当たりのエネルギーは次のようになりますESW = VSUPPLY * VSUPPLY / RG * TSWはいくつかの数字を仮定すると：ESW = 12V * 12V/22Ohm * 100nsの= 6.54e-7J電力損失は次のようになりますPLOSS = ESW * FSW * 2（そこからサイクルごとに2つの遷移）PLOSS = 350mW梱包全体の部分は、そのような小さなICのかなりある0.7 Wは、rougly倍損失が表示されています。私が過去にやったことの一つはICの上に銅の小片を接着剤である。小さなヒートシンクとして、このサーバ。
 
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