HFSSの

[an.t]

私は今計算マイクロストリップの設計VEのドキュメント
だ と
私 と同じ問題だった。時間**ポール： / / www.ansoft.com/hfworkshop04/2004_HFSS_Users_Workshop_Bernard_Schmanski.pdf誰でもこの例ではサイトで使われていた16シードのメッシュの種類を知っていますか？4面体のは非常に良い分布：不正と大きく遠くから近くの小さなものの不正がたくさんある。スライド16歳の時に私が何かを作ってみる、私の結果はとにかくスライド9時のように残っている。もし単純に
、 4面体の辺の長さの減少は直ちに4面体の数が増加します。私はいくつかのダミー（仮想隔離） 、オブジェクトを試みたが
、 仮想環境のシミュレーション結果をとにかく遠くから測定下さい。理解と同様に、主な問題は4面体の右配分を達成することです。
申¥し訳ありませんが、
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[Guest]

こんにちはan.t 、

それは
あなた のスライドに何を達成しようとし
て いる
かを知る exactelyする
の は難しい。' の言葉で'メッシュ、それは設計の複雑さに依存します。通常は、高電流密度のポイント
（ すなわち経由でほかのメッシュを曲げる必要がある
でしょう ... ）は
、 デザインの他の地域より少ないメッシュで分解される。

 

[an.t]

こんにちは、ブーメラン！

私の目標趾間計算設計することです。私は いくつかを理解しようとすると、
その 権利自体はHFSSデバイス（少なくとも強い縁とメッシュ結合効果を実行することができないのです） 。非常に良い例時間** p ： / / www.ansoft.com/hfworkshop04/2004_HFSS_Users_Workshop_Bernard_Schmanski.pdf
は 、下記の書類から
、 この
2 画像を参照してください。本論文の主なアイデアダミー（仮想）メッシュシードを持つオブジェクトを隔離することです。私の質問は2番目の画像Schmanskiベルナール（ ）でこのような良いメッシュ分布を達成することです
か ？私はあなたと
...), 曲がり小さい4面体の高電流密度の点で
（ つまり経由する必要がある高濃度の場合
に 同意するエッジmicrostripsデバイス間のスロットに結合
します 。
ライン間の結合フィルタの場合は
（ 仮想オブジェクトを挿入する）だけで4面体の長さ制限を行うと、結果が
、 とにかく私はバーナードSchmanski良くなるような美しい画像を実現することはできません。私のプロジェクトでは
、 小さなダミーのオブジェクトを描くことがたくさんある小さなメッシュシードの長さを設定します。仕事 の私は非常に長い処理時間を4面体150k
- 200kを得るようになります。マイフィルタバーナードSchmanskiドキュメントのスライド13に示すように同じようになる。
申¥し訳ありませんが、
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[cooleyn]

私はあなたと同じ問題だった。メッシュ分布HFSS計算のための非常に重要です。2.5D のツールは
、 シミュレーションの結果は異なっている（中心周波数をシミュレートHFSS ）低い。以来
、 小さい4面体
、 シミュレーション時間受け付けています非常に長い
です 。

 

[Azulykit]

私はこのスレッドでは
、 コメントを見て驚いた。私は
秒 とCバンドは
、 デフォルトのメッシュを使用してフィルタをモデリング趾間計算されている。reasonalbyときの結果は
、 測定値を見て終了している。私の特定のアプリケーションの性能¥要件については
、 少なくとも。あなたの邪魔をしないことがあります。

としてvirturalオブジェクトの追加さ種または手動で変更する確かに実用的なメッシュです。メッシュの密度はこれらの機能¥を使用して高電界地域で増加することができます。私ではなく
、 シミュレータの性能¥を検証するために対ハードウェア3Dと2.5D対照的なツールだと思います。

お使いのSパラメータの腐敗を見ています
か ？どのような場合は
、 結果についてmisgiviingsを与える
か ？

 

[Guest]

[No message]

 

[borich_03]

an.t書いた：

私は今計算マイクロストリップの設計VEのドキュメントだと私と同じ問題だった。
時間**ポール： / / www.ansoft.com/hfworkshop04/2004_HFSS_Users_Workshop_Bernard_Schmanski.pdf誰でもこの例ではサイトで使われていた16シードのメッシュの種類を知っていますか？
4面体のは非常に良い分布：不正と大きく遠くから近くの小さなものの不正がたくさんある。
スライド16歳の時に私が何かを作ってみる、私の結果はとにかくスライド9時のように残っている。
もし単純に、 4面体の辺の長さの減少は直ちに4面体の数が増加します。
私はいくつかのダミー（仮想隔離） 、オブジェクトを試みたが、仮想環境のシミュレーション結果をとにかく遠くから測定下さい。
理解と同様に、主な問題は4面体の右配分を達成することです。

 

[itaifrenkel]

an.t shalom 、

私の名前は
、 私はイスラエルでItal代表¥Ansoftのために働く。
私はあなたの文書を読んで何を説明し、解決策は明らかになります試してみます。HFSSメッシュの適応アルゴリズムは
、 高エネルギーがある場所に集中しています。した場合は何らかの理由S12は非常に初期メッシュ
-30 dBの （ ）の下に低いですが、それは
、 すべてのエネルギー
の 港
の近く、 conectratedされているメッシュrefignment
近く 行われることを意味するポート（これはあなたのケースではS12
という意味 ですまだ
） 低い。
だから
、 何をすべきかを0.1または0.05に適応し
、 通過帯域周波数を設定（ S12 -70 dBのではない）ラムダrefignment設定されている。最初のメッシュモデルを介して十¥分なエネルギーとは
、 適応型メッシュにキックされ
、 解決策として期待を絞り込むせて良いだろう。

よろしく、
板井