Mar 23, 2011 #1 E em1cr0nix Guest 私は、次の答えを提供する助けてください。どのようにサイズのNMOSおよびPMOSトランジスタは、しきい値電圧を増加させるのですか？説明インバータのサイズ。 MOSFETのVdsが- IDの曲線を描く。さて、表示方法（b）のチャネル長変調を考慮したトランジスタの幅（c）の増加に伴って増加Vgsは、この曲線の変更（）。 CMOS回路の遅延を計算するための式を与えます。事前に感謝します。ロナルドよろしく、
私は、次の答えを提供する助けてください。どのようにサイズのNMOSおよびPMOSトランジスタは、しきい値電圧を増加させるのですか？説明インバータのサイズ。 MOSFETのVdsが- IDの曲線を描く。さて、表示方法（b）のチャネル長変調を考慮したトランジスタの幅（c）の増加に伴って増加Vgsは、この曲線の変更（）。 CMOS回路の遅延を計算するための式を与えます。事前に感謝します。ロナルドよろしく、
Mar 23, 2011 #2 S strennor Guest インバータのしきい値電圧やあ、それはロジックの取り組みのようなものを見てみましょう、PMOSとNMOS遅延のサイズ比に依存して、多分それはあなたが必要なものだ
