質問同期整流式降圧での同期FETの伝導について

[analog_match]

ときに
、 同期FETを行う同期整流降圧型では、電流をGNDにこれは
、 インダクタ電流がその方向に流れ
、 ドレインに流れる必要があります。このためには複数のソ¥ースよりも負の値にする必要があるのドレインが発生する。これは正しい説明です。私は通常、srcとドレイン電流からsrcに流れるよりも高い潜在力をNMOSのドレインを見するために使用しています。

 

[FvM]

だけのために
、 ほぼ一定のRdson仮定| Vdsでの|""Vgsで、しきい値。この地域のVdsでの極性は関係ありません。
Vdsでは"-0,5 Vの基板ダイオード、コースの実施を開始します。

 

[Mr.Cool]

それを得た。

トリックをするときのボディダイオードようにすばやくMOSFETの..オンにすることができます接続するために開始を知ることです

Mr.Cool

 

[analog_match]

以来、FETが線形領域での時には抵抗と電流の流れとして任意の方向にすることができますように動作しますが私はy'all言っていることを推測されます。これに支援いただきありがとうございます。

 

[Guest]

[No message]

 

[eem2am]

いいえ
、 リニア領域ではない。

優秀な同期整流式降圧のでFET用のデッドタイムをしては素晴らしいではありません... ...だから
、 時系列FETの上でいけば、現在のシャントFETを介し行くの瞬間的な大規模なスパイクを取得します。のシャントFETの大きなスイッチング損失を与える