Apr 11, 2011 #2 J javi Guest 両方のhiは異なっている。 SOI基板のSiO2層が島&もNFETのは、PFETをが形成されているエピタキシャル層としてシリコン上で開発されています。これはparacitic capactianceを削減するため、SOSのでは、シリコンの構造は、サファイア基板(al203)上に形成されて速度を向上させます。ハビ
両方のhiは異なっている。 SOI基板のSiO2層が島&もNFETのは、PFETをが形成されているエピタキシャル層としてシリコン上で開発されています。これはparacitic capactianceを削減するため、SOSのでは、シリコンの構造は、サファイア基板(al203)上に形成されて速度を向上させます。ハビ