設計MOSのアナログスイッチ

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pseudockb

Guest
こんにちは、私はスイッチのMOSのサイズをかを判断する方法を知って好きに。知っている私はをどのよう、サイズは"抵抗すべきオンbe"小さな小さなの命令にして以下のあるchargeの大規模な注入かもサイズがあります。さらに、私が注射を持って充電頻繁に半分の使用を聞いた人々作る削減に切り替えるにはサイズのダミー。私はスイッチのダミーになるが好きです知っている理由はサイズが半分ているでしょうか？sure ofもう一つはない私は地面であるのNMOSのの接続かどうかをbulkにorするスイッチshould connectedソ¥ースへの。（のN -よくプロセス）私は端末を見つけることの両方の異なる電圧をで接続を与える。それは何です一般的な理由の接続と実践一括まとめています。事前に感謝します。

 
要件ではなく、電荷注入抵抗）をソ¥ースと半分に排水の流れを電荷が想定の半分（からスイッチdummuをminum横ハーフサイズを決定しますabsobe注入された電荷を。バルクはグランドに接続します。

 
注入avoid電荷、youは第2四半期よりももう少しできるCMOSを使い、スイッチと2つのフェーズのクロックは、Q1 Q2だとQ2'は、'第2四半期said、。
そして、あなたは、ADCのことrefereceいくつかの書籍や論文

 
ダミースイッチは、スイッチの極性をより反対されますがあります。あなたは、高速スイッチの立ち下がりエッジを維持しようとする。また、ダミースイッチ信号は電荷を実際にはcancellすることができますそれは必要があるいくつかの遅延をと比較して、通常のようにスイッチ信号。

 
こんにちは、私は"スイッチよりも反対の極性を持ってダミーのスイッチが"の声明を明らかにすることが好きに。ということですあなたはPMOSの場合、スイッチはNMOSのし、する必要がありますダミーは？あるいは、その逆か副上にある場合は意味スイッチは、なら、とダミーはオフ？ありがとう。

 
やあ

ときは、PMOSのNMOSとデザインのウシ初乳をして100万、彼ら。GNDに今すぐ場合接続されてバルクは、すべての/潜在的なVddを同じですし、Vthのバルクは、すべてのbecaz NMOSの電圧はバルクは/ PMOSのはいない変更のために変更します。今潜在的な場合に一括接続するには、ソ¥ース（接続時れていないソ¥ースは、すべてのGND）にしての変更に伴うVthの変化は....それはckt.thanks全体がいる影響という点で

 
どのようにMOSFETの必要swtichバルク電圧の我々が対処すると？

 
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