Jun 27, 2010 #2 E electronics_kumar Guest それは一定のシリコンディ代替品として端末にゲートelemnetている酸化物....以来、誘電体を有することは、それが正しいそれは願って応答..削減パワーMOSしきい値電圧を、デバイスがリードする低消費迅速としても...
それは一定のシリコンディ代替品として端末にゲートelemnetている酸化物....以来、誘電体を有することは、それが正しいそれは願って応答..削減パワーMOSしきい値電圧を、デバイスがリードする低消費迅速としても...
Jun 27, 2010 #5 B bjeservice Guest シリコーン窒化装置を用いて、MOSさdeacresedできるよう使用の層Vtの窒化およびSiO2の誘電率ですaloneso SiO2の2倍のことについて追加秒後に47:シリコーン窒化2についてです誘電する使用の層SiO2の窒化とそのデバイスをのSiO2は、単独で、これて、MOS deacresedがVtのこと
シリコーン窒化装置を用いて、MOSさdeacresedできるよう使用の層Vtの窒化およびSiO2の誘電率ですaloneso SiO2の2倍のことについて追加秒後に47:シリコーン窒化2についてです誘電する使用の層SiO2の窒化とそのデバイスをのSiO2は、単独で、これて、MOS deacresedがVtのこと