回路についてギャップの問題をいくつか

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winsonpku

Guest
私は、回路を設計するバンドのですが、私が、このバンドに関するいくつかのprolemsします。バンドギャップが基づいているオペアンプ。
1。のバンドギャップ電圧が出力バイポーラとsensitvieです。私はSSを意味するときにTTのですbiaploarからの変更、電圧ドリフトは約40mVに、どのようにモデルbiploar電圧ドリフトをオンに削減します。
2。約増幅オフセットされますアンプのオペアンプがために方法のoffestに減らすには、アンプオペアンプ10倍なので、どのように削減するオフセットimprortantは非常に。おかげですべての

ウィンソ¥ン

 
1。）バイポーラ別しようとすると
b）補償をしてコレクタ電流
c）のネットワークをする場合トリミング紹介し、それに役立つしなかった。通常時の値ポイントを希望のTCシフトゼロ電圧ドリフトも減少します。

2。オフセット曲線の変化はPTATのアンプ。オフセットは、通常のペアの差動mismachの入力電圧に依存からしきい値。）入力するには削減のオフセット増加領域をのincreseマッチング（デバイスです。別の方法を使用はN = 24 .. 48 .. 80。重要性をオフセットNが増加失うアンプ。

良い出発点を参照
http://www.edaboard.com/viewtopic.php?p=539293＃539293

 
あなたは紙をすることができます勉強：BangdapVoltageリファレンスのCMOS設計上の考慮事項の最近の高度な低電圧、低温度係数。本稿では、あなたが助けをいくつかの可能¥性を見つける。

 
それを詳細に説明する私がこんなことをする場合に感謝します：
）どのようにコレクタ電流を補償
b）trmmingネットワークがトランジスタを意味するよりバイポーラ？
c）のはN = 24の手段は何ですか？

おかげで再び

DenisMarkは書き込み：

1。
）別のバイポーラ試してください

b）コレクタ電流補償を試してください

c）のそれは、トリミングネットワークを導入する解決しない場合は。
通常我々が所望の値にゼロのTCポイントをシフト、電圧ドリフトも減少します。2。
オフセットはPTAT曲線アンプの変更。
オフセットは、通常、入力差動ペアのしきい値電圧mismachから異なります。
オフセット増加マッチング（入力デバイスのincrese面積を削減します）。
別の方法を使用はN = 24 .. 48 .. 80。
Nはアンプのオフセットの増加の意義を失うと。良い出発点を参照

http://www.edaboard.com/viewtopic.php?p=539293＃539293
 
）リンクをたどって参照し、図7を参照してください
b）はトリミング...).金属、または意味ポリ（セットの抵抗短絡でヒューズuで燃焼ヒューズのバンドギャップの抵抗比を変更することができますし、値に合わせて所望の電圧をそれに出力。
c）のñ -ジェネレータPTAT制のBJTの比の関係。Iptat =（ボス Vtの*はln（N）の）/ Rのuを増やすのN最初のラガー2番目のこと用語をの総和。ボス-オフセット値を、Vtは=ぽ/電子- Termalで電圧は、R -抵抗。

これはすべてのは明らかです。回路のこのようなに精通してくださいバンドギャップuを設計する前に。リンクをたどって私の参照と検索について電圧リファレンスの論文を、多くの良い。

 
ありがとう！
DenisMarkは書き込み：

）参照リンクを辿って図7を参照してください

b）はトリミング抵抗ヒューズ（ポリや金属、...).による短絡のセットを意味する
燃焼ヒューズuのではバンドギャップの抵抗比を変更することができますし、これを所望の値に出力電圧に合わせて。

c）のñ - はPTATジェネレータのBJTの間の比率。
Iptat =（ボス Vtの*はln（N）の）/ Rの
N個のuを増やす総和ラガーで、最初の2期目を確認します。
ボス - Vtの=ぽ/電子 - Termalで電圧は、R - 抵抗値を相殺した。これはすべてのは明らかです。
回路のこのようなに精通してくださいバンドギャップuを設計する前に。
私の参照リンクを辿って見つける電圧リファレンスについて、多くの良い論文を。
 
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