低ノイズマイクロ波増幅器バイアス助け

J

jagath

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低ノイズマイクロ波増幅器バイアス
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ただ、DC回路の分析を行うバイアスにし
、 どこで知ることがあなたの
ベース＆コレクタ電圧は、その決定がどのようなSパラメータ
されます。

写真1では、このICは、BJTのがあるので
、 知っていることを知る必要がありますか
場合
、 コレクタ電圧（ベンチャーキャピタル= VCC -レッドカード* Ic）をされ、次に
、
Veの= [Icを （Icの*（1 /β）] *再

その後、Veの 0.65五することにR61とR62を設定...

vbファイル= Vcc（R62 /（R61 R62））; vbファイル= Veの 0.65 Vの

写真＃を想定する場合は
、 バイアス電圧は、BJTと
、 これを適用されるの知っている。
（
 
はい私は理解していますが
、 どのように接続された図のバイアス斗を教えすることができます
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はい私は計算のバイアスが斗することができますどのようにあなたは私の前の図のようにマイクロ波回路は、上にimplimentを行う

rgds
jagath追加20分後：jagath書き込み：

低ノイズマイクロ波増幅器バイアス
 
jagath書き込み：

はい私は理解していますが、どのように接続された図のバイアス斗を教えすることができます
 
私が望む方法で私はバイアスBFG425W BJTことです
ストリップ上の図は、明確な言葉でどのようにすればよいimplimenta、通常のバイアス回路

 
http://www.zen118213.zen.co.uk/RFMicrowave_Theory_Files/Bias_Circuits.pdf

 
、私はのI / Pとo / LNAのマイクロ波増幅器のためのpマッチングネットワークを行うことはiで役立つものをどのようトランジスタのバイアスですか？
とされている場合のバイアス用に別々の通常のciruit斗にワイヤを介してマイクロストリップ回路への電源電圧またはi集中コンポーネントを使用して
、 自己いくつかの1本を私に役立つことがマイクロストリップ基板のbising circuilデザインを行っている

rgds
jagath

 
あなたがしこりのコンポーネントとバイアス回路をベースとトランジスタのコレクタに
、 その出力を接続を構¥築します。あなたのバイアス回路の前には
、 ベース＆あなたのトランジスタのコレクタでは、クリックすると
、 幅とバイアスのトレースのトレースの長さを心配する必要はないのRFCを使用します。だけでは、RFC共振周波数を動作周波数よりも高くなっていることを確認します。

 
好きな方をさらにplese私を手助けすることができますあなたの助けに感謝知っているようだhii

rgds
jagath

 
場合のシミュレーションuでウルを使用してADSを非常に簡単にBJTのためのバイアスネットワークを設計することができますとしては
、 その...、uはバイアスネットワークの設計... ...については
、 疑問するかどうかなどのコンポーネントを集中使用することができますが、組み込み機能¥を備えて使用するマイクロストリップも...バイアス回路にはDCネットワークはŬ抵抗器と同様など..あなただけでは
、 バイアスネットワークでは、RF信号に場を提供する必要があります集中コンポーネントを使用することができます...このことができます願っています。 。

 
www.accutemicro.comからDROの誘電体resoantor<img src=¥"http://images.elektroda.net/18_1239950742.jpg¥" border=¥"0¥" alt=¥"low noise microwave amplifier biasing-Help me¥" title=¥"低ノイズマイクロ波増幅器バイアス助け¥"/>
 
mWの回路内の任意のバイアス回路の目的は、RFトランシーバからDC部分を分離することです。

このようにiにブロッキングコンデンサを使用する/ pおよび図書館/ p端子からのDCを防ぐために
そこに到達。
同様にこのような方法では、RFを開く考えでバイアス回路を設計する必要が
がある場合
、 またはそこに入ると減衰を取得します。
だから
、 シリーズでは、RFCを使用することができます シャントコンデンサバイアス回路を作る。

あなたのデザイン
、 電子レンジは、高インピーダンスの4分の1波長線路を使用して
シャントの代わりに一連の代わりにRFCと4分の1波長オープンスタブ
コンデンサです。

私の動作周波数で4分の1の波の長さを意味します。

私はそれを支援願っています。

 
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