マルチVtをVDDとマルチ

[neo321]

こんにちは友人、

マルチの両方をVDDと同じデザインのマルチVt技術を適用して電力を削減することは可能¥です
か ？ ？

複数のターゲットのライブラリを使用することができますと
、 これらの技術を管理する
か ？

plzこれをいくつか入力するのは... ...

事前に感謝します。

 

[news]

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[vlsichipdesigner]

私の2セント、

はい
、 電力を節約
する 、マルチの両方をVDD 、マルチVtを使用できます。

複数
の ダイナミックなパワーと保存をVDD
複数
の リーク電力を節約するvt 。

敬具、チップの設計を簡単に

http://www.vlsichipdesign.com

 

[neo321]

回答のおかげで....

 

[hiral.kotak]

やあ、

屋は、両方の技術を使うことができます。マルチVTおよびマルチ電圧電池、両方の違い
があります 。

Multivt細胞は
、 スレッショルド電圧とリークされているvt 1クラスとして差別されています。彼らLVT 、 HVT
、 RVT 、すなわち低VT 、高VTおよびVTそれぞれ定期的に
することができます 。

は
、 マルチセルの電圧が異なる複数のドメインにしている電圧設計に使用することができます。などの
特殊な細胞が
多 電圧設計を実装する必要があります。

1 。レベルシフター
2 。アイソ¥レーションセル
3 。有効レベルシフター
4 。保持失敗
5 。細胞 は常にオン
6 。パワーゲーティングスイッチ/ MTCMOSスイッチ

レベルシフター：この細胞の目的だけでなく
、 高い順から低い順電圧をシフトすることです。一般的に種類やレベルシフターバッファラッチのタイプがご利用いただけます。一般H2L LS
の 非常に小さな
L2H LSの 複雑され
、 サイズが大きい
（二重 高さ）一般的
に は
、 2 電源端子があるが
、 簡単です。そこL2Hレベルシフタの設計でノイズレベルを処理するいくつかの配置制限があります。レベルシフター
、 通常
、 信号レベルを変換し使用されている漏れを防ぐのパス忍び込む。最大限の注意を
すると 、レベルシフター
、 場合によっては回避することができますが
、 これはあまり実用的な規模でも広いとなる。

アイソ¥レーションセル：これらは閉鎖している特殊な細胞を必要なブロック間のインターフェイスでダウンし
、 常に上にあります。彼らは
、 既知の電圧を出力ノードクランプ。これらの細胞内領域'は'常にオン
に しただけであり
、 分離細胞
の 信号を有効に配置する'にする必要がある必要があるalways_on ' 。ナットシェルでは、分離浮遊細胞を分離するために必要な入力がされています。
が分離細胞
（ 1 ）の保持" 0
" （
イ） の保持" 1 "の2種類があります
。
レベルシフターを有効にする：この細胞は
、 レベルシフタ
、 アイソ¥レーションセルの組み合わせ
です 。

リテンション失敗：これらのセルを複数の電力供給に特別な失敗している。彼ら
は 通常
、 シャドウレジスタとしていてもブロックが閉鎖され
、 その居住ダウン
、 その値を保持するために使用されています。すべてのパスは
、 このレジスタにつながる
' always_on さ
れる 'と必要があるため特別な注意を合成している必要があります/場所/ルートに。ナットシェル
は 、 "スリープモード時の設計ブロックは
、 ブロック内に含まれるすべてのフリップフロップのデータは失われますオフになっている場合にはデザイナーの欲望、保持フリップフロップを使用しなければならない状態
を 保持
する " 。

フロップの保持は
、 標準マスタースレーブフロップと同じ構¥造になっています。それが本当をVDDに接続されているラッチしかし、風船を保持失敗している。

With the proper series of control signals before sleep, the data in the flop can be written into the balloon latch.

同様に、睡眠時には
、 ブロックが出てくる
と 、データがフリップフロップに書くことができます。

常にオンの細胞：一般的に
、 これらのバッファは、常にどこに置かれている電源に関係なく維持されています。彼らはいずれかの特殊な細胞や定期的にバッファすることができます。特殊な細胞を使用されている場合は、それゆえに配置することができます独自の二次電源供給しているが
、 設計した。常にオンの細胞として定期的にバッファ
を 使用して特定の地域でこれらの細胞の配置が制限されます。

ナットシェル
は 、 "データ
を する場合や睡眠のブロックからの積極的なブロックにルーティングし
、 ルーティングや走行距離を極端に過度の負荷が大きい場合、バッファは
、 ネットをしてドライブに必要になるかもしれない長されている場合が必要です。このような場合
は 、バッファは
、 常に使用することができます。 "

パワーゲーティングスイッチ/ MTCMOSスイッチ：複数の略MTCMOSスレッショルドのCMOS 、低Vtゲート高速化のため使用されている、低リーク電流と高Vtの門に使用されます。ヘッダスイッチ、細胞のブロックとして、高Vtトランジスタを使用することで眠りにモード、リーク電力が大きく削減すること
ができる ようにオフすることができます。MTCMOSスイッチ様々な異なる方法で実装することができます。まず、 PMOS （ヘッダとして
）または NMOS （フッター）スイッチを実装することができます。第二に、その粒
の セルに実装することができるレベル（細粒）
、 またはブロック
の レベル（粗粒） 。つまり、標準のセルに
すべての スイッチのいずれか、または内蔵することができますが
、 標準セルの大規模なデザインのブロックをオフにするために使用することができます。

ホープ
、 このことができます。

ありがとう。

鶴。

 

[Guest]

[No message]

 

[neo321]

Thanks a ton for this elaborate reply <img src=¥"http://www.edaboard.com/images/smiles/icon_biggrin.gif¥" alt=¥"とてもハッピー¥" border=¥"0¥" />....で私は確実に私の設計に役立つ
だから私は自分で自分のデザインの儀式で
、 安全を同時に使用することができます両方の手法を取る
か ？...

おかげで再び..