バンドギャップリファレンスBJT

[analog_chip]

こんにちは、私は、バンドギャップリファレンス回路の設計mと私はいくつかの基本的な疑問がある。 1。私が使用するBJTは、VBC = 0で接続されたダイオードです。ので、操作のどの領域で、それはすなわち、アクティブまたは彩度を動作します。 2。どのようにこのの事態はEBER mollsとギュンメルプーンモデルでSPICEすなわちによって処理されます？私は、Spectreシミュレータを使用しています。

 

[erikl]

1。 Icに依存します：VCEの= Vbeの> VCE（SAT）= fはそれがアクティブ領域で動作する低電流（バンドギャップアプリケーション）用（IC）、すなわち。 2。あなたのBJTモデル"レベルに依存する：通常はレベルのBJTモデル<3を取得し、これらはエベルの - モルとギュンメル- Poonのモデルの組み合わせですが、利用可能なより洗練されたBJTのモデルもあります（例えば、VBIC（レベル4）、MEXTRAM（レベル6）、HICUM（レベル8）＆BSIM（レベル49、53、...）のモデル）、S.この[URL ="http://en.wikipedia.org/wiki/SPICE"] SPICEウィキ[/URL]。 SPECTREは、すべてのこれらのモデルを扱うことができます。

 

[analog_chip]

こんにちはerikl、なぜ我々はVceの、どのようにアクティブになっている小電流用かについて悩む必要？アクティブの場合は、前方およびBC彩度は逆転されていることが、前進とBCであることが前方に常にであるので、問題は理論的にはVBC = 0の場合、BC接合についてですこと私の場合は前進しています。今実際にデバイスに（内部の）BC接合はまだであってもVBC = 0のために逆バイアスがかかっています。どのように低いICやVceはこれらに影響しますか？

 

[erikl]

- 低電流のため、すなわち（バンドギャップアプリケーション）Vceの低いICで運営する場合には、活性領域で動作する理由がない= VBE> VCE（SAT）、。大きなコレクタ電流のVCE（sat）> Vbeを= VCE（掲示していますでsのIcの対Vceの特性）の場合は、このケースでBJTを接続したダイオードは飽和領域で動作します。ので、IC値は、BJTが動作する領域で影響を与えます。