バイアスのLNAに関する質問新しい

[lordfire]

時の参照用のLNAのバイアスギャップ私はデザイン、バイアス電圧は、さの変化を一定の温度がS21のは、NFは既に温度変更は、例えば、S21はと3dBの低減気温の上昇。から-15 85、どのようにすることができます問題を解決するこの。

 

[yibinhsieh]

たぶんあなたはデザインLNAのためのあなたのdepedenceの温度理由かチェック。のNFについては、温度にせずに、特別なeffert porpotionalそれは常に。

イーピン。

 

[cmosbjt]

トランスコンダクタンスはincreasse温度が減りので、利得です。バンドギャップだから一部の人々のデザインはPTATバイアス回路ではなく。

 

[Guest]

[No message]

 

[BigBoss]

cmosbjtは書き込み：

相互コンダクタンスは、温度increasseとして減少するので、利得です。
一部の人々のデザインはPTATバイアス回路ではなく、バンドギャップだから。

 

[Guest]

これは、電圧の多くで、その年radiotelescopes、FETをベースLNAの定数よりむしろ、いる駆動とcosnstant現在。
これは、変更を加えるスパーマッチより安定した対の温度。
idは定数FETをするにはドライブ、特殊な電源が使用されますが、LNAの電源FETを1つの例は、FETの）と同じバンドギャップ（ネットワーク）と同じ化学や可能¥性があります考慮する置換ソ¥ース抵抗を（ダイオード。

注：ためのFETの私等を意味します、シリコンFETは、GaAs基板FETを、HEMTの、PHEMTS