ツインもプロセスのCMOS

[leohart]

私は双子のCMOSプロセスを使用し
ているが、 レイアウトのnwell層のみを使用して
、 pwell層"未nwell " 、これはサブpwell手段として生成されているnwellとして定義されていない場合は、レイアウトの裸psubを得ることができない。

私は双子のメインストリームは
、 このようなプロセスのでしょう
か？ それともpwellにも独立した描画層ですので、 nwell
、 pwellやレイアウトを行うときpsubすることができます。

 

[news]

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[elbadry]

私はツインさてあなたはP -基板をウエハーの手段は
、 フォームの基盤を持っていると思う。上記は
、 あなた自身の成長やNwellエピタキシャル成長（非常にきれいなcrystallatice ） pwell 。しかし、ほとんどの場合は
、 どこpsubある場合を除き
、 明示的に追加されますNWELL想定しています。

そのためには、すべてのpsubs一緒にウエハーから（
pは 基板を使用する場合は
、 トリプルなプロセスは
、 フォームベース）とを物理的に
別々の Ñおよびp井戸を建設することはできませんが短絡している1日の終わりに。

..間違っている場合
、 私を修正

 

[cmos_dude]

elbadryが正しいことを何としている。
双子なプロセスでは、すべてのPWellsを短絡されているPSub思いました。しかし
、 PWellている場合は
、 隔離する必要がある場合
は、 トリプルも深いNWellとプロセスを使用するようにPSubからPWellを分離するために使用する必要があります。
この場合、 3つの井戸カ国を入手することができます。" NWell " 、 " PWell "と" PWell孤立"

- cmos_dude

 

[ashutoshdeenanath]

私のCMOSプロセス技術のプロセスも双子だと思う。bcoz場合でpmos ū ū
p 基板を作製する際
、 同時にnmos ū ū nwell必要pwellを作製する必要があります。このpwell層で定義されていないが
、 同じ層nwellの負のフォトレジストを使用することができます、ここでnwellがフォトレジストおよびp型の場所の残りはどうなるドーピングされることを意味します。このpwell基板を介して接続されます。

 

[leohart]

『 THXみんな、もう一つのこと
を 明確
にする ：
すべてのツインexpitaxy psubうまく処理し
、 フォーム
上 nwell / pwell
psubでは 、いくつかのプロセスだけbulid nwell 、そのpsubはhavent nwell
として pwellにしているインプラントを使用して注入され...
一pwellので、分離nwell ...5 分後に追加：こんにちはすべて、私は一般的なツインpwellでも孤立したプロセスを提供する別の方法を検討している...

私たちはできるようにレイアウトをnwellパターンは
、 内部に同封のpwell 、 ：

nnnnn
npppn
npppn
npppn
nnnnn
その後
、 我々はnwell guardringの内側に絶縁pwellプレゼント！ただし
、 この種の孤立pwellトリプルなので
、 完璧なものではないプロセスの比較を提供しています...

どう思う？
2007年5月22日7:33にleohartで編集最終;編集した2回の合計

 

[leo_o2]

はい、それ以外の両方のウェーハ表¥面NwellとPwell -落射ウエハーの状況については同じです。唯一の違いは
、 ドーピングpsubされています。5 分後に追加：私はあなたの記載方法として
、 他の人に似ている井戸トリプル思う。のNwellする必要がありますNwell深い孤立Pwellより深くする必要があります。孤立Pwellへの道
では 、別の方法を使用しているÑ その周囲Nwellリング付き層埋葬された。

 

[leohart]

leo_o2こんにちは、私はあなたの2番目の方法について話していた...
双子なプロセス
では 、全くないようnwellの中にpwell
... pwell同封の下にお問い合わせpsub
、 他のpwellは...

 

[strennor]

NBL場合は、 Pwellの分離に成功したことがありますが私は思う。leo_02
が 正しいことを