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こんにちは、なぜNチャネルMOSFETは、MOSFETですチャネルより人気もP？MOSFETは、ほとんどのDC / DCチャンネルコントローラを使用するのN -。そして、私はソ¥ースを見ていくつかのパワーパスパワーバックのN - MOSFETをする完全分離2コントローラを使用してバック、それは意味が1個のN - MOSFETのVにソ¥ースが接続 とソ¥ースとドレインが接続するドレインVが交換へは、これは許可され位置？そして、私は参照してください特徴の説明についてvsdに電気がないとデータシート'はのMOSFET製品。

 
Jaffe氏は書き込み：

こんにちは、なぜNチャネルMOSFETは、複数のPチャネルMOSFETよりも人気ですか？
のDC / DCコントローラは、NチャネルMOSFETを使用するほとんどの。
そして私はいくつかの電源経路のコントローラは、完全に2つの電源を分離するバックトゥバックのN - MOSFETを使用して見て、それは1個のN - MOSFETのソ¥ースはV に接続し、ドレインはV -は、ドレインとソ¥ースの交換を許可されて接続することを意味位置？
そして、私は参照してくださいvsdにについての電気的特性の説明とMOSFETの製品のデータシートで指定します。
 
私はトランジスタをtyptのN個のない知っている正確には通常、最大して効率の向上とよりベータ版と大きいGmをデジェネレートのnpnトランジスタの500（最大約pnpトランジスタについての100）

 
a_tek7は書き込み：

私は正確には、通常のN typtトランジスタを知っていない効率の向上とよりベータ版と大きいGmを（npnトランジスタのBJTの最大の約500最大が100 pnpトランジスタについて）
 
理由が多く。数は：（質問と推論もトランジスタがために同じNPN）では。
回路我々のほとんどを持っている、アイブ地上で最も（一般的に使用）構¥成が）のCEまたはCS（いわゆるNチャネルまたはNPNスイート
彼らは（製造要求により、複数のおよびPNP thatsの理由またはチャネルP彼らがより少ない費用より）。だから人々はそれ以外の場合に必要な場合を除き（試して回路を設計するとNPNを含むNチャネルまたはforcely自然ている）およびその逆。
の最後の編集時に2008年1月16日4時54分;編集回数：1 Khabree合計

 
のP - FETは正することがより必要FETが必要- nはかれらが門をすることがソ¥ースよりも陰性であった。明らかに製造正電圧）がより負の電圧転送、よりストレート内のすべての（ほとんどの回路正をお持ちの電圧をではなく、より多くの必要があるそれはあなたがいないので、ある否定的なコンポーネントです。あなたがソ¥ースとすることができますドレインだけではなく、置き換えてください。MOSFETが実施して寄生に戻るせず、バックアップさダイオードダイオードの寄生のためしかする必要がある場合は使用して双方向にすることができますすることが使用される一方向場合は、組み合わせて使用するそれらの2つの接続ソ¥ース。
、について

 
私はあると思うメインの理由は、電子キャリア（移動nMOSFETの）多くの）高い（〜2倍の正孔移動度（キャリアに比べて）pMOSFETの。したがって、抵抗を低く、高電流として駆動能¥力がpMOSFETのはと同じエリア。そしてRdsonを、デバイスは電源主なパラメータの1つです。

 
それはdrain.Itの位置を交換可能¥にソ¥ースといる可能¥性がMOSFETの....

 
サントムは書き込み：

それが可能¥なソ¥ースの位置を交換するとdrain.Itている可能¥性であるMOSFETの....
 
ファラは、書き込み：サントムは書き込み：

それが可能¥なソ¥ースの位置を交換するとdrain.Itている可能¥性であるMOSFETの....
 
パワーMOSFET（例えば、LDMOSは）入れ替えされていない対称デバイスなので、ソ¥ースとすることはできませんドレインは！

 
timofは書き込み：

パワーMOSFET（例えば、LDMOSのではない）対称デバイスなので、ソ¥ースとドレインが入れ替えすることができません！
 
サントムは書き込み：timofは書き込み：

パワーMOSFET（例えば、LDMOSのではない）対称デバイスなので、ソ¥ースとドレインが入れ替えすることができません！
 
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