ダイオード接続された出力R

[surreyian]

こんにちは、

ダイオード接続のMOは、体の効果は
、 出力R = 1/gmなし/ /路。

もし我々のアカウントに、= 1 /（GMは gmb）Routを体効果を、この場合は、Routを体の効果を低減します。どのように体効果Routを軽減？

 

[dineshbabumm]

それを論理的に考えることができます！は、MOSの..第四端末としての身体行為Infactは
、 いくつかの意味でのゲートのようにそれを考慮することができます！

というわけで体効果の結果余分なMOSトランジスタのソ¥ースを一括する電圧により..流れる電流また
、 論理的には
、 大きな電流を流すこと、抵抗が減少されている必要があります！は
、 あなたの質問の理由を説明する！

 

[Guest]

[No message]

 

[surreyian]

dineshbabumm書き込み：

それを論理的に考えることができます！
は、MOSの..第四端末としての身体行為
Infactは、いくつかの意味でのゲートのようにそれを考慮することができます！というわけで体効果の結果余分なMOSトランジスタのソ¥ースを一括する電圧により..流れる電流
また、論理的には、大きな電流を流すこと、抵抗が減少されている必要があります！
は、あなたの質問の理由を説明する！

 

[amriths04]

NMOSのご検討ください。それpをもつ基板。と（ﾑ ）、ソ¥ースとドレイン。場合
、 本体とソ¥ースを接続されていない体効果。想定体接地されます。これは、p -基板よりも低い可能¥性です（ﾑ ）のソ¥ース。それゆえに逆バイアス接合を形成します。これは
、 空乏領域の増加を引き起こすだろう。このしきい値電圧（ボディ効果の増加を引き起こす）furthurだろう。今は、GM = 2 *のID /（VgsでのマルチVt）;（強い反転）;ので、GMは増加します。その増加額gmbです。

なぜGMは高くなるにつれ、敗走減少すると、以下の注記を理解する。

1）は
、 ダイオード接続されたモスは、GMが、それを意味の低さ
、 ほとんどの現在の撮影は気のVovによる。出力電圧のためにも大きな変化Ioutにかなりの変化を引き起こすことはありません。ので、Routを高くなります。

2）上記の点を補完します。