スパイスにより、シミュレーションはどのくらい信頼性の高い？

[Fala]

こんにちは、私はオペアンプの電圧ブースター内蔵しているのでシミュレーションは、『Protel DXPはのスパイス2004ソ¥フトウェアパッケージです。デザイン国立アプリケーションから取得されます注記- 272 120Vスイングブースター（http://www.national.com/an/AN/AN-272.pdf）。
私は必要な電圧と非常に低い電圧を維持する能¥力の最大の安定性です。私は別のプッシュ使用しているドライバ段の引き出し：Bipolars（元の文書として）、バイポーラdarlingtonsとMOSFET。すべてのそれらの補完はNpnは、PNP（所蔵MOSFETの場合のpチャネル）。私は（1マイクロボルト）正弦波（1kHz時）入力信号と比較出力は
、 外部ノイズの有無（）内1uV使用されます。いくつかのトランジスタを確実に他よりもスムーズに出力した。私が知りたいのは
、 これらの結果が正確であることをはるかに？もし私は、私はこれらの結果を得ることが現実の世界で何の音もいましたか？私は別のトランジスタの間の比較の結果
、 このソ¥フトウェアから信頼できますか？
ありがとう。
Falaのが2005年12月21日午前13時27分
、 最終編集日編集回数：2総

 

[Guest]

シミュレーターとしてのみのモデルを使用としては正確です。低い周波数ではモデルを受け入れている。する必要がありますもない。ノイズ解析。これは、。交流分析の一部です。

 

[Fala]

おかげで鼓腸、私が説明した電圧ブースターと定電流源を構¥築したい。電流1nA以下より必要があります（電流ノイズを僅か1nA未満の解像度）。私は
、 ダーリントンBJTsを見つけたスパイスシミュレータを使って
、 通常のMOSFETよりも優れています。しかし
、 理論的には私はノイズMOSFETの電流と思う一般的にBJTs未満です。ので
、 この私を少し混乱した。誰かこれを説明できますか？

 

[Guest]

[No message]

 

[Guest]

これは
、 すべての周波数範囲に依存します。RFおよびマイクロ波のMOSで静かな場所です。でのオーディオBJTの一般的に静かな場所です。JFETもが
、 高電源が入らない静かです。