ステップアッテネータの設計をお探し

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要件:1。 MESFETスイッチ(注:NOT CMOS)2。手順0.5、1、2、4、8、16 DB 3。挿入損失を通じて少額の<1.6デシベル(最大2GHzまで)<2 DB(3GHzまで)4。帯域幅、700MHzの〜3GHzのか5も高い。良好なステップの平坦度<+ / -5%6。高速スイッチング時間(90%セトリングのために)<私はこれは非常にチャレンジデザインだと信じ1US、私は、リファレンスデザイン、紙、または特許を探しています...任意の入力大歓迎です。おかげ。
 
私は非常に良いデザインを持っていますが、あなたのための現実的ではないかもしれません。これは本当に700にそれを必要とする際に、それを得ることができるが、私はあなたの挿入損失は次のようになりますどのように悪いかわからない、1GHz以上について上記動作します。 0.5デシベルを備えた6GHz - - 1デシベル挿入損失、それがすべてGaAsの場合、彼らは1からうまくMA - COMのスイッチを見てください。次に、それらは異なる抵抗パワーデバイダ(約5 GHzまでの非常にシンプル)に切り替えている。 1GHz以上では、挿入損失にあなたの印を打つことができるが、停止して、700MHzには困難なため、そうでない場合、スイッチの時間のために、電気機械が使用でき、これは非常に簡単な設計となります。このの回路図が必要な場合、私に教えてください。
 
[引用= b4bb4ge]私は非常に良いデザインを持っていますが、あなたのための現実的ではないかもしれません。これは本当に700にそれを必要とする際に、それを得ることができるが、私はあなたの挿入損失は次のようになりますどのように悪いかわからない、1GHz以上について上記動作します。 0.5デシベルを備えた6GHz - - 1デシベル挿入損失、それがすべてGaAsの場合、彼らは1からうまくMA - COMのスイッチを見てください。次に、それらは異なる抵抗パワーデバイダ(約5 GHzまでの非常にシンプル)に切り替えている。 1GHz以上では、挿入損失にあなたの印を打つことができるが、停止して、700MHzには困難なため、そうでない場合、スイッチの時間のために、電気機械が使用でき、これは非常に簡単な設計となります。このの回路図が欲しいなら、私に教えてください。[/引用]はい、私にそれを送ってください、どうもありがとう
 
私はフォーラムで共有することを要求することはできますか?そうでない場合は、あまりにも私に送ってください。
 
直線性はどうか?実際に私が使用した広帯域のためのCMOS減衰器を設計しています、直線性は高い減衰が必要、などの36デシベルであり、大きな問題です...
 
この減衰のレベルではそれが使用されているトポロジによって異なります。
 

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