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cmosbjt
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要件:1。 MESFETスイッチ(注:NOT CMOS)2。手順0.5、1、2、4、8、16 DB 3。挿入損失を通じて少額の<1.6デシベル(最大2GHzまで)<2 DB(3GHzまで)4。帯域幅、700MHzの〜3GHzのか5も高い。良好なステップの平坦度<+ / -5%6。高速スイッチング時間(90%セトリングのために)<私はこれは非常にチャレンジデザインだと信じ1US、私は、リファレンスデザイン、紙、または特許を探しています...任意の入力大歓迎です。おかげ。