オンチップ·コンデンサ療の許容エリアペナルティと大容量を実現

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nelsonadonis

Guest
私は現在、オンチップ·スイッチトキャパシタ電源供給ユニットの設計で働いています。私は、人々は通常、許容可能なエリアペナルティと大容量を得るために、コンデンサ設計を行う方法を理解しようとしています。私は、UMCとTSMCは、180nm以下、130nmの、90nmおよびMS / RFアプリケーション向けの90nmプロセスのためにMOMコンデンサのMIMキャパシタを提供することを身を乗り出した。これらのコンデンサは、Cadence社のUMCとTSMCライブラリで見つけることができます。私は、MOMのコンデンサと比較して、その利点のためにMIMキャパシタを選択するようにしたいと思います。私は、あなたがミックスド·シグナル設計のための大規模なMIMキャパシタの製造について話して任意の情報やチュートリアルを知って求めることができる?私はUMC90nmライブラリ(MIMCAPS_20F_MM)からMIMキャパシタを試してみました。回路図で、私はMIMキャパシタ(10Uと20U)は最大値でのWとLを設定して、私は395.322fF得る。したがって、私は大きな容量(例えば、39.5pF)を達成したい場合、私は並行して100台を接続する必要があります?または私の問題を解決する方法は他にはありますか。鋳造技術が最も好きで、通常使われていオンチップ電力供給アプリケーションの要素として、オンチップ·コンデンサを(おそらくMIMキャップを使用)のために?どうもありがとうございます。
 
[:オンチップ·コンデンサ乗算の手法があります:分散方式に対する集中デザインの http://users.ece.gatech.edu/rincon-mora/publicat/trade_jrnls/pmdl_0706_cx.pdf 利点URL] http://www.ece.umn.edu/users/sachin/conf/cicc11.pdf [/URL]私は、すべて一つの大きなコンポーネントではなく、複製する必要がありますを製造する方法がなければならないと言うように設定された小さなものを100倍...私は下の図でこの記事を見たまで。 http://users.ece.gatech.edu/〜scotty/pdf/Deb02-TVLSI.pdf
 

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