インバータのCMOS、斜面のVoutは遷移DCを対ヴィン

[santhosh.mandugula]

インバータのCMOS、斜面のVoutは移行？対ヴィンのDC）の移行が急特性ができますが増加（で？？
どのようにそれはとの関連は、W / LがインバータのPMOSそのトランジスタとNMOSの？

事前に感謝！
サントッシュ

 

[electronrancher]

しかし、場合、トランジスタは大きな（大きなワット/ L）をする彼らはその後も強く領域をよりれますください。

 

[Guest]

[No message]

 

[Guest]

時間はインバータの移行コンデンサ負荷とNMOSは、VDDとPMOSが関連のW / L比との間。
Trise≈2℃/（KNの* VDDを）
Tfall≈2℃/（京都* VDDを）
私たちが、Wnを*βpが来る結論TriseことTrise <Tfallが同じβn>βp.Toを得るため、/βnとTfallを設定Wpの=選択肢です最高。
それは明らかだが負荷が小さいとTriseとTfall小規模から大規模のVDDリードするが、負荷がシステムの回路全体が支配した。
期待してはお役に立ちましただ