の内部電源は何を意味している。libには、

[raju3295]

ハイテク、チップの消費電力は、大きく二つのカテゴリー1>静電気力----これがオフ状態2のMOS構造のリーク電流に起因するに分けることができる>ダイナミックパワー - これは、チップがされているときに消費される電力です。 /機能状態----で、この私は、2つのカテゴリに分けることができます）電源---充電とキャップIIの充放電を切り替える）shortcirtcuitのパワーは、 - これは今つのMOS structresのRとVDDとVSSの間に短いによるものである私の疑問は。LIBで指定された内部電源は、短絡電力/ iはスイッチング電源がactitityから派生させることができる知ってスタティック消費電力に対応です。しかし他の二つについての疑問は、内部電源は、ツールはスタティック消費電力をcaliculates方法から、電源を短絡に対応する場合

 

[johanlo]

内部電源は、セルの境界内に消費される電力です。スイッチング時に、回路は、細胞内部の任意の既存の容量の充放電による内部電力を消費します。内部電源は、短絡電力と呼ばれるゲートのPとNのトランジスタの間に瞬間的な短絡が消費する電力を、含まれています。駆動セルのスイッチング電源は、セルの出力で負荷容量の充放電で消費される電力です。駆動セルの出力での総負荷容量は、運転出力のネットとゲート容量の総和です。

 

[sudheerprasad]

スタティック消費電力の漏洩電力の属性、短いCKTの電源と内部キャップのスイッチング電源の内部電源cosistsがあると、それはワット/周波数で表されます

 

[raju3295]

こんにちはsudheerはuは内部のキャップについて詳しく説明できるとu WHT。libのリーク電力の属性である私に言うことができる

 

[sudheerprasad]

スタティック消費電力のディスの世話をcell_leakageの属性があるだろう、その単位は。libに指定され、内部のキャップは、オーバーラップキャップのような寄生キャップです。

 

[raju3295]

それを手にすることができるうん、。LIB、leakage_powerと内部電源のテーブル内の2つの電源のテーブルがある、ので、このツールはこれらのtabelsからお迎えします、、

 

[Chethan]

こんにちは、。LIBファイル内の属性のleakege_powerは、セル内の静的な漏れ電力に対応しています。これは、セルがスイッチングされていないときにVDDからGNDに流れるリーク電流です。特性評価ツールは、このリーク電流を得るためにDCシミュレーションを行う。 。LIBの属性dynamic_powerは、スイッチング動作に起因する細胞によって消費される電力に相当する。特性評価ツールは、この動的な電力値を得るために様々な入力ピンの組み合わせのための一時的なシミュレーションを行います。すべての入力ピンの組み合わせのすべての出力ピンの場合はUT。LIBのダイナミックパワーブロックを持つことになります。 Chethanをみなし

 

[Mk.phnx]

こんにちは、FR。Vの形式に私の。libファイルを変換するために機能強化された私NEDのCKTを（Verilogのゲートレベルで定義）をシミュレート。これはどのように行うことができます：？：