の不一致の分析

C

chang830

Guest
やあ、
をどのようにデザインのミスマッチの分析を行うの経験を共有希望ですか?

また、もしあなたのPDKをしなかったの不一致モデルでは、どのように不一致charateristics評価するかが含まれて?

ありがとう

 
こんにちは

ケースypurデザインキットdoesn'tサポート不一致モデルでは、街角の分析を実行することができます。何かを"セクション" - ADEの投稿者と呼ばれるでしょうモデルのカードでは、モデルファイルを...、3つのファイル、1つのRFモデルを、1つのベースモデルと1つ以上のファイルのためのを見つける...、それぞれに必要になります
。 各モデルのNMOSの電流sectione.g:目の前に見つけ、高速な典型的な
、 あるいは遅い。と受動素子のため:最大または最小を意味する。場合
、 最悪の場合のコーナーの組み合わせを作ることができます。すべてのNMOSの高速分の受動部品などをしている例です。

もし不一致モデルのインスタンスを誤って"nmos13_mis例えば"、またはそのようなことで終わると、使用するモンテカルロシミュレーションをサポートしています...

 
aomeen書き込み:

こんにちはケースypurデザインキットdoesn'tサポート不一致モデルでは、街角の分析を実行することができます。
何かを"セクション" - ADEの投稿者と呼ばれるでしょうモデルのカードでは、モデルファイルを...、3つのファイル、1つのRFモデルを、1つのベースモデルと1つ以上のファイルのためのを見つける...、それぞれに必要になります。各モデルのNMOSの電流sectione.g:目の前に見つけ、高速な典型的な、あるいは遅い。
と受動素子のため:最大または最小を意味する。
場合、最悪の場合のコーナーの組み合わせを作ることができます。
すべてのNMOSの高速分の受動部品などをしている例です。もし不一致モデルのインスタンスを誤って"nmos13_mis例えば"、またはそのようなことで終わると、使用するモンテカルロシミュレーションをサポートしています...
 
がない場合は
、 正確な鋳造データは、シミュレーションは無用です。

 
やあ、
MOSトランジスタのミスマッチを見つけるには、しきい値電圧のミスマッチの主要な関心事項として私の知る限りです。このtheoritically、シグマ= AVTの/(幅*通常L *メートル)sqrtの関係を使用してここで、M本の指の数が判明することができます。この1σの不一致... ...だから
、 ウルのデザインウィンドウŬ上のガウス分布のą3σのように選択することができますに応じています。個々のデバイスのシミュレーションでは
、 そのデバイスの1σのミスマッチを導入することに貢献したの不一致を観察することができます。

よろしく

 
renwl書き込み:

がない場合は、正確な鋳造データは、シミュレーションは無用です。
 

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