についてのパラメータλは

L

lhlbluesky

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0.35umまたはによる0.18μmプロセスでどのように、λのパラメータを抽出するために？シミュレーションでは、i Vgsは\\ vdsの\\ Wおよびように、値などの様々な要因とλは変更されると、急激に変化することがどのように異なる動作条件の敗走使用して、λを計算するために見つけるか？加えて、妖怪で、どのようなロンと敗走の違いはパラメータロン、何ですか？どのようにして、Ronを使ってDC利得を計算するには？
 
ただ、使用のDC解析λはたとえば、単純なモデルを使用します。= d（i）は、/ d（v）と
 
λは= d（i）は、/ d（v）とvの値です、何ですか？五= VDSのか、VGSは？
 
トランジスタ出力抵抗は= 1 /（λ* Id）はそれゆえにラムダを持ってIDとroを測定することにより、roのです。 defenitionのラムダによって加え/ DVDをDXDとしてpropotonalです。
 
私はラムダを見つけるためにさまざまな方法を使用するには、uを示唆している。最も一般的な値の平均値を調べる。その良い値がウル必要Vdsをarroundの使用します。 diifメソッドは、1）傾き=λ曲線の接線は、y軸に傍受する時の'id'は現在のものです/ IDです。深い飽和ラムダより正確であるため、2）深飽和主に2つのVDSの値を選択します。この曲線は敗走対VdsのグラフのプロットId2/Id1 =（W / L）が2 /（W / L）が1 *（1 + Lambda.Vds2）/（1 + Lambda.Vds1）3）を使用してガウスのような形をしている曲線。 uは、商品が表示されます、そこから@濃度増加と@ CLMのその後（アーリー電圧）商品商品= VAの場合、土1 /（1/Va、短+ 1/Va.CLM）この詳細については、いくつかのMOSFETのモデルの本を参照してください+。また、BSIMマニュアルで与えられる。アイデア：ホープは、このuを助ける：
 
ひい誰もが、私はは、L = 60n = d（i）は、/ dは（Vds）が私は（NMOSトランジスタ、λ= 0.3345しばらくの間、私は= [I1/I2の他の方法をしようとしたときにことが判明で、λの方法をしようとしたときに質問があるW / Lは、1）*は、（1 + lamdaVds )]/[(のW / L）2 *（1 + lamdaVds）私はそれがarounf 0.65になったこととするとき、1 /（λとの* Id）は私は変化を得た=私はroを試みた見つかりました] 0.3 0.12からの値は、Wので、私は???:-(をすればVgsは、Vdsが、依存する
 
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