どのようにシミュレーションからトランジスタVTを識別するには？

[abuelmaatti]

人々は、問題は難しいが得た非常にシンプル。

どのようにシミュレーション行う直流私は特定（小規模正確に）電圧しきい値の（λ= 180nm以下必ず絶対定格）NMOSトランジスタから=ワット？私達はすべてONに知っているしきい値と見なされますされたVGSは、電圧がいる場合は電圧のトランジスタと起動すると、現在れる以上のチャネルで、次の。問題は、とはいえ、次のどのような現在点はない我々は現在のと言う、？（これはゲートが大きいですがどのようなとき、誰かが言う指定は大きいが、tはわしの大規模で非常に小さい）のためにもチャネル通電中そこに電流がまだそれは小さいが非常に。高精度な点はVTです以下の現在私たちは、現在と言う今では、チャネルとは何かそれで？

私はトランジスタ固定VDDの上のVG掃引で行わアウトし、電圧掃引ゲート私のプロット電流に対して。私たちはすべてのようなノウハウになりますこれは、現在の考え私は小さいことがゼロで、ゲート電圧を時（ゲート電圧を超える法律広場電流が起動増加にバーモント！？）の方法。今、近くの場合はグラフズームに私はここで、現在の開始（目に見えて）、実際に増加していない私は小さいと気づくことで、これらの電流電圧ゼロではなく、小さな値を持つズームが増え徐々に、そんなにどのように依存することは、すべてのインチはどのようこれをできると言う私はと私は特定ポイントを細かくしなければ、現在は小さな、これはVTの大電流ようでなければならないことは？

ヘルプをご利用の事前のおかげで
アリ

 

[Guest]

[No message]

 

[alpeshchokshi]

効果場合、チャネルの短いため必要になります行くいくつかの短い長さのデバイスのよう未満0.18えと顕著になる...パンチのようなGIDL、濃度増加に伴う、...ためVGSは、そのでも流れを開始するleakagは、現在の= 0、、、
uはちょうどよい教科書thatsを実際に非常に参照してくださいTsividis -

 

[nxing]

が反転穏健しきい値の操作に鋭いtransistionからのサブされていない。いくつかのVgは、単に拡張は、軸- xの曲線態度をするインターセプトポイントVthをあなたの意志がかなりaccute後の通常、ときにcurverをVDSは、固定必要になります取得何とか一定の汚水と曲線を持つ英領バージン諸島〜にIDが

 

[DIP]

として定義の多くは"きい"には、外挿れ、私たちが使用する方法の標準も測定1999年5月に最もなどの方法多くのgmの業界と呼ばれる最大。それが目的実用的な最も良いさ：

（1）設定Vdsを= 0.1Vの（これはデバイスを確実に）線形である地域
（2）をプロットするIDが対VGSは。
（3）また、プロットグラム（IDの誘導体）対VGSは。
（4）はGMの最大のポイントで曲線のIdの傾きをして下さい。
（5）外挿すること坂道を0にID =。
（6）Vtの2 VGSはのです等しい=イドインターセプトで0、マイナスVdsを/

と設定イド0 =、地域方程式の線形のId使用して数学的には、これは相当する。解決には、2を取得Vtを= VGSは- Vdsを/

グッドラック！

 

[jamesqjf]

シミュレーション場合は、使用亡霊場合は、シミュレーションを直流することができますか、情報を保存するバイアスポイント、することができます[印刷-> DC動作ポイントは、あなたが見したい選択するのは、MOSを、Vtはは自動的に現れたウィンドウ