しきい値電圧依存性

D

diemilio

Guest
皆さん、こんにちは!

私はトランジスタ知っているのMOS Lに依存の間の値とVthの重要な存在だ。デザインのLの値を右の選択のバリエーションですしきい値電圧の小さな重要なのこと。Eventhought私はこれを知って、私は関連する値に、この方法が見つからなくてされてできる!でした誰かが、私これを説明したり、情報をこの教えて私をどこに見つけるような私は???

ヘルプおおかげでは、

diemilio

 
あなたはHSPICEによる必要があります実行L関数-しきい値電圧を。
異なるため、異なるモデルが。

 
こんにちはdachuan315、

返信あなたのおかげです。私はすでになかったが、私もバリエーションを選択してLminプロセスしきい値電圧を最小限に私は必要性をデザインする私の。私が本当に知りたいです:対しないLのグラフに見えるようには!!!??? Vthを理由そなえ、なぜとしてLの増加減少指数関数的にはVthの??何がbehaivourについては、この物理的ですか???

ヘルプおおかげでは、diemilio

 
diemilioは書き込み:

なぜLの増加指数関数的にはVthの低下??
 
こんにちはsrieda、

ポストあなたのおかげです。私は)知っているW1は(図があるため(の領域Lのようにしきい値電圧の増加が増加短チャネル効果)、減少開始がして、実際に。一部のグラフが重要実際に変化したときに減少、それは(安定時にこれらの)ためのポイントプロセスしきい値電圧に影響されやすい以下となります。

どのように影響をすることができます減少私が説明これは??

、ありがとう

diemilio
申¥し訳ありませんが、添付ファイルを、この必要があります表¥示するにはログインしての

 
ハイ
あなたはマイヤー、ルイスの設計することができますを見つけると分析しての"アナログ、integerated circuts"でグレー、hursr

 

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